苏州星耀微电子是专业的半导体晶圆加工解决方案服务商，深耕晶圆制造、MEMS特色工艺、晶圆级封测、晶圆检测等领域，为客户提供一站式、全流程的技术支持与配套服务。我们的业务覆盖产品设计及研发、晶圆微纳加工、高精度检测分析三大核心板块。依托完备的技术研发、工艺加工、项目交付与质量管控体系，我们能够快速响应客户需求，稳定高效地输出高水准的工艺产品与技术服务

光刻工艺是半导体封装中非常重要的制程之一。
1.光刻工艺是将掩膜版上图案转移到晶圆上。
2.光刻工艺的精度和稳定性对半导体封装产品的质量和可靠性具有重要影响。
Resolution: within 2um
Exposure light source: ghi/gh/i-line/mercury lamp
Engraving accuracy: within 1um
Verticality of rubber type: 90 ° ±1 °
Exposure depth: 8um@1um; 20um@2um;30um@3um
support mode: 200mm / 300mm, WEE (Wafer edge exposure )and WEP(Wafer edging protect)
Exposure wavelength: 365nm
Exposure adhesive thickness: 1-110um
Device application: Wafer size 8/12inch

1.光刻胶滴落wafer 表面；
2.Wafer 以高速旋转产生离心力，使光刻胶均匀地散开，形成一层薄膜
distribution and form a thin film;
Edging: ≤2mm, tolerance ±0.3mm
Speed: 0 rpm to 5000 rpm±1
rpm Baking: 23~180℃
Temperature: 22±2℃
Humidity: 40~60%
Cavity: 4C
Device application: Wafer size 8/12inch
Adhesive thickness: 1-110um