Layout and process design

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集成电路微/纳米

制造工艺与设备

光刻工艺类型与流程

集成电路设计与晶圆加工

光刻工艺

关键参数:
1. Resolution: within 1um
2. Engraving accuracy: within 2um
3. Verticality of rubber type: 90 ° ±1 °
4. Exposure thickness: 1-30um

光刻工艺

工艺演示

PECVD (2-12inch sio2/siNx)

薄膜沉积

PECVD (2-12inch SiO2/siNx)

关键参数:
1.Temperature control range: 200°C~350°C
2.Maximum RF power: RF 0-300w
3.Temperature control range: 200°C-350°C
4.Gas flow range:siH4 flow rate 0-40sccm, N20 flow rate 0- 1600sccm

工艺演示

蚀刻工艺

薄膜沉积

蚀刻工艺设备

工艺演示

解决方案: 整机柜基础环境解决方案; 跨机柜互连解决方案; 液冷散热解决方案

产品: 铜互连; 光互连; 热管理; 供电管理

关于我们: 公司概况; 新闻

联系我们: 中国（江苏）自由贸易试验区苏州工业园区佳胜路3号3栋6层; Seanye@Starshinemicro.com; 13913581308