1,概述:
晶圆尺寸:8”
晶圆厚度:725±25um
Wafer Layout，3*3重复单元
横&竖密集线光栅:100/50/25/10/5/3/2/1/0.5/0.4/0.35/0.25/0.2/0.15/0.1um
棋盘格镜头畸变校准:20/10/5/3/1/0.5um棋盘格区域
横&竖稀疏线光栅:25/10/5/3/2/1/0.5/0.4/0.35/0.3/0.2/0.15/0.1um
方形校准区域:100/50/25/10/5/3/2/1/0.5um
同心圆环校准区域:50/30/20/10/5/3/2/1/0.5um
CD SEM换点测试区域:0.1/0.11/0.13/0.18um
同层OVL校准功能:包含Bar-in-Bar，Box-in-Box,AIM
2.Shot/Die Layout：
单个Shot为一颗Die，尺寸:20*21mm，可切开小样单独售卖。
3,校准特征图像
3.1横竖密集光栅区域:
3.1.1横竖密集光栅区域1
CD: 100/50/25/10/5/3/2/1/0.5/0.4/0.35/0.25/0.2/0.15/0.1um, Pitch: 2*CD
3.1.2横竖渐进式区域2
3.2横竖稀疏光栅:
CD：25um， Pitch：50um
CD：10um，Pitch：20um
CD：5um，Pitch：10um
CD：3um，Pitch：10um
CD：2um，Pitch：10um
CD：1um，Pitch：10um
CD：0.5um，Pitch：10um
CD：0.4um，Pitch：2um
CD：0.35um，Pitch：2um
CD：0.3um，Pitch：2um
CD：0.25um，Pitch：2um
CD：0.2um，Pitch：2um
CD：0.15um，Pitch：2um
CD：0.1um，Pitch：2um
